電子デバイスの製造方法及び薄膜トランジスタ

開放特許情報番号
L2012001594
開放特許情報登録日
2012/5/18
最新更新日
2016/11/25

基本情報

出願番号 特願2012-041371
出願日 2012/2/28
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-179127
公開日 2013/9/9
登録番号 特許第6015893号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 薄膜トランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 薄膜トランジスタ
目的 ボトムゲート薄膜トランジスタ等の、アモルファス酸化物半導体上に透明導電膜が積層された構造の電子デバイスにおいて、透明導電膜を分離し電極を形成する方法を提供する。
効果 アモルファス酸化物半導体上に保護膜を堆積・加工することなく直接透明導電膜を堆積・加工することができるため、マスク枚数を削減し、作製コスト低減することができる。本発明により、電子デバイスの製造工程をオールドライプロセスで行うことが可能となる。
露光工程を削減することができるため、ゴミなどによる歩留まりの低下を抑制することができる。また、低コストで、電界移動度等の電気特性が優れている。
技術概要
インジウム及びガリウムを含むアモルファス酸化物半導体上にインジウム又はスズを含む酸化物からなる多結晶透明導電膜が直接成膜された積層構造において、多結晶透明導電膜を、ハロゲンを含まない炭化水素と水素を含む混合ガスを用いてドライエッチングして、前記アモルファス酸化物半導体に達するエッチング溝を形成する。エッチング溝により多結晶透明導電膜を分離することにより複数の電極を作製して、電極間のアモルファス酸化物半導体をチャネルとする電子デバイスを製造する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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