スピン電子メモリ及びスピン電子回路

開放特許情報番号
L2012001579
開放特許情報登録日
2012/5/18
最新更新日
2015/10/26

基本情報

出願番号 特願2014-500866
出願日 2012/11/2
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2013/125101
公開日 2013/8/29
登録番号 特許第5750791号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 スピン電子メモリ及びスピン電子回路
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 スピン電子メモリを有するスピン電子回路
目的 電子デバイスの省電力化を実現可能なスピン電子メモリ及びスピン電子回路を提供する。
効果 電子デバイスの省電力化を実現可能なスピン電子メモリ及びスピン電子回路を提供することができる。
技術概要
スピン電子メモリは、少なくとも、一対の電極と、前記電極間に配され、厚みが0nmより厚く2nm未満であり、Sb↓2Te↓3又はBi↓2Te↓3を主成分とする合金層Aと、前記合金層Aに隣接して積層され、GeTeを主成分とする合金層Bとを有し、前記電極からの電圧印加に基づき、前記合金層A中で異なるスピン状態をとる2つのスピン電子に密度差を発生させるスピン流発生層と、が設けられ、密度の高い方の前記スピン電子を利用してメモリ動作を行うことを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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