トンネル接合素子の製造方法

開放特許情報番号
L2012001212
開放特許情報登録日
2012/4/18
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2010-187603
出願日 2010/8/24
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2012-049202
公開日 2012/3/8
登録番号 特許第5646914号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 トンネル接合素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 トンネル接合素子の製造方法に関し、例えば、半導体層上にトンネル絶縁膜および強磁性体層が形成されたトンネル接合素子の製造方法
目的 大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供すること。
効果 本発明によれば、大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供することができる。
技術概要
半導体層10の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層10の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層10の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層10の前記表面上にトンネル絶縁膜12を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜12上に強磁性体層14を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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