高分子固定化パラジウム触媒及びその製法

開放特許情報番号
L2012001201
開放特許情報登録日
2012/4/18
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2005-247062
出願日 2005/8/29
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2007-061669
公開日 2007/3/15
登録番号 特許第4904556号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 高分子固定化パラジウム触媒及びその製法
技術分野 機械・加工、有機材料
機能 検査・検出、その他
適用製品 2価のパラジウムを原料として、芳香族高分子に0価のパラジウムをナノサイズクラスターとして固定した高分子固定化パラジウム触媒の製法、その製法により製造された触媒及びその使用法
目的 原料として安価なパラジウム(II)化合物を用い、芳香族高分子に0価のナノサイズパラジウムクラスターが安定に担持された、高分子固定化パラジウム触媒を提供する。
効果 高分子固定化パラジウム触媒の製法においては、芳香族側鎖を有する高分子、2価のパラジウム塩及びアルカリ金属塩を、当該高分子を溶解する良溶媒中、60℃以上に加熱し、その後、この溶液に高分子に対する貧溶媒を徐々に加えて相分離させることにより高分子固定化パラジウム触媒を得る。高分子ミセルを形成させた後に高分子間を架橋することにより、さらに安定性を向上させることができる。
技術概要
 
芳香族側鎖を有する高分子を含む溶液中で、2価のパラジウム塩及びアルカリ金属塩を加熱処理することにより、パラジウムが還元され、芳香族高分子にナノサイズパラジウムクラスターを担持することができる。本発明は、芳香族側鎖及び架橋基を有する架橋性高分子、2価のパラジウム塩及びアルカリ金属塩を、当該架橋性高分子を溶解する溶媒中で溶解または分散させ、これを60〜200℃で加熱し、冷却後当該架橋性高分子に対する貧溶媒を加えることにより生じた組成物を析出させ、当該析出物中の架橋基を架橋反応させることから成る高分子固定化パラジウム触媒の製法である。この触媒はHeck反応や鈴木−宮浦カップリング反応おける触媒として有用である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT