n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法

開放特許情報番号
L2012001199
開放特許情報登録日
2012/4/18
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2005-034476
出願日 2005/2/10
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2006-222279
公開日 2006/8/24
登録番号 特許第4891550号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造、その他
適用製品 ナノチューブ状構造体をn型のチャネルとして備えたn型トランジスタ及びn型トランジスタセンサ、並びに、n型トランジスタ用チャネルの製造方法
目的 ナノチューブ状構造体をチャネルに用いたトランジスタにおいて従来とは異なる新たなn型トランジスタを提供する。
効果 本発明のn型トランジスタ並びにn型トランジスタの製造方法によれば、従来とは異なる新たなn型トランジスタを得ることができる。また、本発明のn型トランジスタセンサによれば、ナノチューブ状構造体をn型チャネルとして用いた高感度なトランジスタセンサを得ることができる。
技術概要
ソース電極2とドレイン電極3とゲート電極4とソース電極2及びドレイン電極3の間に設けられたナノチューブ状構造体で形成されたn型のチャネル5とを備えたトランジスタ1のチャネル5上に窒素化合物の膜6を直接形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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