垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置

開放特許情報番号
L2012001144
開放特許情報登録日
2012/4/3
最新更新日
2014/7/31

基本情報

出願番号 特願2009-206306
出願日 2009/9/7
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2011-060346
公開日 2011/3/24
登録番号 特許第5526427号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、その他
適用製品 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置。磁気的に反平行状態で結合した構造を並びに含む垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、垂直記録媒体の製造方法。
目的 ルテニウム(Ru)、白金(Pt)などの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造と磁気異方性を有する垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、及び垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
効果 白金(Pt)、ルテニウム(Ru)などの希少金属を使用することなく、反強磁性的層間結合と、磁気異方性を有する垂直記録可能な磁性膜とを活用し垂直磁気記録媒体を提供することができる。すなわち、希少金属を使用することなく熱安定性の向上と低ノイズ化を図った磁気記録媒体を構成できる。また、希少金属を使用することなく、磁気記録媒体のスパイクノイズを抑制しうる軟磁性裏打ち層有した垂直磁気記録方式などによる高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供できる。並びにこれらの磁気記録媒体を活用した磁気記憶装置を提供することができる。
技術概要
垂直磁気記録層41と軟磁性裏打ち層42とを有する垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層42は第1軟磁性層44と、第2軟磁性層40とが非磁性層45を介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む膜を有し、前記第1軟磁性層44がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、前記第2軟磁性層40が単体で強磁性を有する金属または、単体で強磁性を有する金属を含む合金からなり、前記非磁性層45がバンドギャップ3eVから8eVの絶縁物からなり、前記垂直磁気記録層41は、垂直磁気異方性を持つコバルトフェライト単結晶薄膜である垂直磁気記録媒体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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