量子ドットの製造方法および量子ドット構造体

開放特許情報番号
L2012001053
開放特許情報登録日
2012/3/23
最新更新日
2012/3/23

基本情報

出願番号 特願2001-013671
出願日 2001/1/22
出願人 財団法人ファインセラミックスセンター
公開番号 特開2002-217400
公開日 2002/8/2
登録番号 特許第4863551号
特許権者 財団法人ファインセラミックスセンター
発明の名称 量子ドットの製造方法および量子ドット構造体
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 量子ドットおよび量子ドット構造体
目的 比較的容易に量子ドットを形成できる量子ドットの製造方法を提供する。また、炭素により構成された量子ドットを提供する。
効果 量子ドットを、比較的容易に得ることができる。また、その量子ドットの組成を炭素とすることができる。
技術概要
SiCまたはB↓4Cの結晶により構成された半導体基板と、半導体基板の表面に形成された量子ドットとを備え、量子ドットの全部または一部は、フラーレン構造の一部となる炭素により構成され、量子ドットを構成する炭素と半導体基板の表面とは、それらの界面において、互いの格子面が整合性をとりながら直接に結合した状態となっている、量子ドット構造体である。まず、図に示される基板1を準備する。この基板の組成としては、SiCやB↓4Cなどの、半導体的共有結合性炭化物を用いることができる。この基板1を真空加熱炉(図示せず)の中に配置する。このとき、上側に、(000−1)面となるC面2を配置し、下側に、(0001)面となるSi面3を配置する。ついで、真空加熱炉を減圧し、かつ加熱する。すると、加熱後約30分前後で、C面上に、直径5nm程度の量子ドット4を形成することができる。この量子ドット4の表面は略球形状となる。ただし、製造条件によっては、やや平坦(扁平)な量子ドットを形成することができる。量子ドット4の組成は炭素となる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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