ルミネッセンス型光磁気センサ

開放特許情報番号
L2012001032
開放特許情報登録日
2012/3/16
最新更新日
2012/3/16

基本情報

出願番号 特願2009-209688
出願日 2009/9/10
出願人 学校法人福岡工業大学
公開番号 特開2011-058977
公開日 2011/3/24
発明の名称 ルミネッセンス型光磁気センサ
技術分野 情報・通信、電気・電子、その他
機能 検査・検出、機械・部品の製造、その他
適用製品 光磁気センサ
目的 この発明は、磁性半導体膜における現象を究明し、またその現象を有効に利用できるルミネッセンス型光磁気センサを提供する。
効果 この発明によれば、対象とする磁性半導体膜で、センサ利用磁界(数百から数キロOe)で磁界依存性が明確に出る。A↑U↓1↓―↓X↓―↓YMn↓XCo↓YB↑Yの効果は光磁気効果はファラデー効果だけではなく、Mnイオンのフォトルミネッセンス効果が重畳しており、むしろ、フォトルミネッセンス効果の方が優勢であるため高い感度が得られる。
技術概要
磁界や電流の大きさを測定する光磁気センサとして、ファラデー効果に基づく希薄磁性半導体が研究されている。しかし、これまでの磁性半導体膜では、検光子角におけるプラスとマイナスの明確さに欠けておりこれが課題のひとつとなっていた。この発明の磁性半導体膜は、光源と、フォトルミネッセンス効果を有する磁性半導体膜を形成した光磁気素子1と、この光磁気素子1のフォトルミネッセンス効果によって増幅された光源からの光の強度を測定する受光器とを備えたルミネッセンス型光磁気センサで構成される。また、光源と光磁気素子1との間に偏光子2を配置し、光磁気素子1と受光器の間に検光子3を、その光軸の向きが偏光子2の光軸の向きとおよそ90度異なるように光磁気センサが配置されている。このようにファラデー効果よりもフォトルミネッセンス効果を現出する磁性半導体膜を利用することにより、高周波磁界測定のできるS/N比に優れた光磁気センサが構成できる。磁性半導体膜を形成する四元系磁性半導体は、組成式、A↑U↓1↓―↓X↓―↓YMn↓XCo↓YB↑Y(A↑Uは、Zn,Cd,Hgから選ばれる元素、B↑Yは、S,Se,Teから選ばれる元素)で示されるものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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