熱電変換素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2012001023
開放特許情報登録日
2012/3/16
最新更新日
2014/9/26

基本情報

出願番号 特願2010-115636
出願日 2010/5/19
出願人 国立大学法人九州大学
公開番号 特開2011-243809
公開日 2011/12/1
登録番号 特許第5578665号
特許権者 国立大学法人九州大学
発明の名称 熱電変換素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料、生活・文化
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 熱電変換素子
目的 この発明は、高いパワーファクターを実現することが可能な熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
効果 この発明の熱電変換素子では、高いパワーファクターを実現することができる。また、この熱電変換素子の製造方法では、高いパワーファクターを実現できる熱電変換素子を得ることができる。
技術概要
所望の起電力の取り出しに必要な温度勾配を保持するためには、熱電変換素子の熱伝導率(単位:W/mK)は低い方が好ましい。そして、一般に、有機物は無機物に比べて熱伝導率が低く、低コストで製作できるために、熱電変換素子への応用という点では非常に有利である。しかし、有機半導体は無機半導体に比べて電気伝導率(単位:S/cm)が小さいため、無機半導体から構成される熱電変換素子と比較すると、有機半導体から構成される熱電変換素子から大きな起電力を取り出すことは困難であった。この発明の熱電変換素子は、その表面にHMDS(ヘキサメチルジンラザン)被膜6が形成されたガラス基板2の上層に、真空蒸着法によって膜厚が6nmのペンタセン薄膜3を成膜し、ペンタセン薄膜3の上層に真空蒸着法によって膜厚が2nmのF↓4−TCNQ(テトラフルオロテトラシアノキノジメタン)薄膜4を成膜する。さらに、F↓4−TCNQ薄膜4の上層には取り出し電極として膜厚が50nmのAu電極5を形成するものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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