立方晶窒化ホウ素を被覆した材料およびその製造方法

開放特許情報番号
L2012001020
開放特許情報登録日
2012/3/16
最新更新日
2012/3/16

基本情報

出願番号 特願2010-037315
出願日 2010/2/23
出願人 国立大学法人九州大学
公開番号 特開2011-174110
公開日 2011/9/8
発明の名称 立方晶窒化ホウ素を被覆した材料およびその製造方法
技術分野 金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 立方晶窒化ホウ素被覆材料、立方晶窒化ホウ素膜、高品質立方晶窒化ホウ素被覆超硬合金基体、立方晶窒化ホウ素被覆材料の製造方法、立方晶窒化ホウ素コーティング法
目的 基体上に立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜をコーティングする際、鉄系金属を含む基体には鉄系金属の触媒作用を封じる対策が採られるが、鉄系金属の触媒作用を封じた基体に立方晶窒化ホウ素膜を生成しても、膜密着性は十分に高くならない。一般に膜密着性を高めるため基体表面を粗化する方法がとられるが、従来の粗化法では、溝形状の不規則性と無方向性が、密着性の低い部分を散在させ、膜全体としての密着性を低める要因となっている。そこで、基体への密着性が良い立方晶窒化ホウ素膜を得るためのコーティング法を提供する。
効果 基体表面に規則的で方向性をもつ溝を多数形成し、その後、立方晶窒化ホウ素膜を形成すれば、溝に平行な方向は従来水準の膜密着性を示す一方、溝に垂直な方向は従来より高い膜密着性を示すことを発見し、この知見に基づいて、溝に垂直な方向に関して、従来よりも高い膜密着性を有する高品質立方晶窒化ホウ素被覆材料を提供することが可能となった。
技術概要
この立方晶窒化ホウ素コーティング法は、基体上に、立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜をコーティングする立方晶窒化ホウ素コーティング法において、基体表面に規則性をもつ直線状の溝から成る構造を形成する溝形成工程と、立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜を形成するコーティング工程とを備えるものである。また、鉄系金属を含む基体上に、立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜をコーティングする際は、基体表面の鉄系金属の触媒作用を封じるための触媒作用抑制工程と、基体表面に規則性をもつ直線状の溝から成る構造を形成する溝形成工程と、立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜を形成するコーティング工程とを備えるものである。また、必要に応じて、基体が、鉄系金属を結合相とする超硬合金基体であるものである。また、必要に応じて、溝形成工程が、マスク蒸着、リソグラフィ等によるパターン形成、およびプラズマ、イオンビーム、化学エッチング等による選択的エッチングを用いた精密加工によって行われ、溝構造を生成するものである。図は、立方晶窒化ホウ素コーティング法のフロー図を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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