無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法

開放特許情報番号
L2012000734
開放特許情報登録日
2012/3/16
最新更新日
2014/4/28

基本情報

出願番号 特願2009-030440
出願日 2009/2/12
出願人 学校法人 関西大学
公開番号 特開2010-185113
公開日 2010/8/26
登録番号 特許第5486821号
特許権者 学校法人 関西大学
発明の名称 無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 表面処理
適用製品 無電解銅めっき液、埋め込み配線
目的 孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成できる埋め込み配線の形成方法を提供する。
効果 孔の内径の大小にかかわらず、孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成することが可能となる。また、埋め込み配線の形成方法によれば、孔の内径の大小にかかわらず、孔の奥まで均一な無電解銅めっき層が形成されるため、孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成可能となる。
技術概要
銅イオン及び塩素イオンを含有する無電解銅めっき液である。塩素イオンの濃度は、1〜15質量ppmである。分子量50以上2000以下の硫黄系有機化合物を含有する。硫黄系有機化合物の濃度は、0.02〜2.0質量ppmである。硫黄系有機化合物は、式(1):X↑1−L↑1−(S)↓n−L↑2−X↑2又は式(2):X↑1−L↑1−(S)↓n−Hで表される。式中、nは整数で1又は2、X↑1及びX↑2は、水素原子、SO↓3M基、又はPO↓3M基(Mは水素原子、アルカリ金属原子、又はアミノ基を示す)、L↑1及びL↑2は、低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。硫黄系有機化合物は、ビス−(3−スルホプロピル)ジスルファイドであることが好ましい。無電解銅めっき液に、孔の形成された基板を浸漬し、孔の内部に無電解めっき層を形成する無電解銅めっき方法である。無電解銅めっき液に、孔の形成された基板を浸漬し、孔の内部に無電解銅めっき層からなる埋め込み配線を形成する埋め込み配線の形成方法である。無電解銅めっき方法の一実施形態を示した製造工程図を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 CVD法のような高温のプロセスを必要とせず、高々100℃という比較的低温の無電解プロセスにより、導電性に優れた銅のめっき層、及び埋め込み配線を形成することが可能となる。

登録者情報

登録者名称 関西大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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