| 出願番号 |
特願2009-030440 |
| 出願日 |
2009/2/12 |
| 出願人 |
学校法人 関西大学 |
| 公開番号 |
特開2010-185113 |
| 公開日 |
2010/8/26 |
| 登録番号 |
特許第5486821号 |
| 特許権者 |
学校法人 関西大学 |
| 発明の名称 |
無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、化学・薬品 |
| 機能 |
表面処理 |
| 適用製品 |
無電解銅めっき液、埋め込み配線 |
| 目的 |
孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成できる埋め込み配線の形成方法を提供する。 |
| 効果 |
孔の内径の大小にかかわらず、孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成することが可能となる。また、埋め込み配線の形成方法によれば、孔の内径の大小にかかわらず、孔の奥まで均一な無電解銅めっき層が形成されるため、孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成可能となる。 |
技術概要
 |
銅イオン及び塩素イオンを含有する無電解銅めっき液である。塩素イオンの濃度は、１〜１５質量ｐｐｍである。分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有する。硫黄系有機化合物の濃度は、０．０２〜２．０質量ｐｐｍである。硫黄系有機化合物は、式（１）：Ｘ↑１−Ｌ↑１−（Ｓ）↓ｎ−Ｌ↑２−Ｘ↑２又は式（２）：Ｘ↑１−Ｌ↑１−（Ｓ）↓ｎ−Ｈで表される。式中、ｎは整数で１又は２、Ｘ↑１及びＸ↑２は、水素原子、ＳＯ↓３Ｍ基、又はＰＯ↓３Ｍ基（Ｍは水素原子、アルカリ金属原子、又はアミノ基を示す）、Ｌ↑１及びＬ↑２は、低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。硫黄系有機化合物は、ビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドであることが好ましい。無電解銅めっき液に、孔の形成された基板を浸漬し、孔の内部に無電解めっき層を形成する無電解銅めっき方法である。無電解銅めっき液に、孔の形成された基板を浸漬し、孔の内部に無電解銅めっき層からなる埋め込み配線を形成する埋め込み配線の形成方法である。無電解銅めっき方法の一実施形態を示した製造工程図を示す。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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