無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法

開放特許情報番号
L2012000729
開放特許情報登録日
2012/3/16
最新更新日
2013/11/29

基本情報

出願番号 特願2009-220867
出願日 2009/9/25
出願人 学校法人 関西大学
公開番号 特開2011-068954
公開日 2011/4/7
登録番号 特許第5377195号
特許権者 学校法人 関西大学
発明の名称 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 無電解銅めっき液、埋め込み配線
目的 孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法及び、無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
効果 孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成することが可能となる。また、この埋め込み配線の形成方法によれば、孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層が形成されるため、該孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することが可能となる。
技術概要
チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有する無電解銅めっき液、さらに、無電解銅めっき液に、孔2の形成された基板1を浸漬し、孔の内部に無電解銅めっき層6を形成する無電解銅めっき方法、及び、無電解銅めっき液に、孔2の形成された基板1を浸漬し、孔の内部に無電解銅めっき層6からなる埋め込み配線を形成する埋め込み配線の形成方法である。ポリエチレングリコール化合物の分子量は、350〜800であることが好ましい。ポリエチレングリコール化合物は、式(1):HS−R↑1−(OC↓2H↓4)↓n−OR↑2で示すチオール基を含有する、又は式〔2〕:R↑2O−〔C↓2H↓4O〕↓n−R↑1−S−S−R↑1−〔OC↓2H↓4)↓n−OR↑2で示すジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物である。式中、R↑1は、炭素数1〜20のアルキル、R↑2は、水素、又は炭素数1〜5であり且つ置換基を有することのできるアルキル基の何れか、nは2以上の整数を表し、前記置換基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボニル基等が挙げられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 CVD法のような高温のプロセスを必要とせず、高々100℃という比較的低温の無電解プロセスにより、導電性に優れた銅のめっき層、及び埋め込み配線を形成することが可能となる。

登録者情報

登録者名称 関西大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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