ナノワイヤ構造体、ナノワイヤ結合体、およびその製造方法

開放特許情報番号
L2012000723
開放特許情報登録日
2012/3/16
最新更新日
2013/3/15

基本情報

出願番号 特願2008-205198
出願日 2008/8/8
出願人 学校法人 関西大学
公開番号 特開2010-040965
公開日 2010/2/18
登録番号 特許第5187689号
特許権者 学校法人 関西大学
発明の名称 ナノワイヤ構造体、ナノワイヤ結合体、およびその製造方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノワイヤ構造体、ナノワイヤ結合体
目的 自己集積形成法を用いて、ナノワイヤを所望の配列で接続した微細配線構造を提供する。
効果 ナノワイヤ構造体を用いることにより、低抵抗の配線構造を得ることができる。
技術概要
ナノワイヤ構造体100は、配線構造の単位ユニットとなる。ナノワイヤ構造体100は、金を含まない金属材料、及び半導体材料から選ぶ材料からなるナノワイヤ1を有する。ナノワイヤ1は、例えば、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Ta、W、Ir、Pt等の金属やこれらの合金や、Si、Ge、SiC、GaAs、GaN、InN、InP、ZnO、ZnSe、GaP、AlGaAs、InGaAs等の半導体材料からなる。ナノワイヤ1は、その両端に、ナノワイヤ1の中心軸lに垂直な端面を有し、その上に金層2が形成されている。好適には、ナノワイヤ1の長さaは、100nm〜500nm、直径bは、例えば好適には10nm〜20nm、金層2の膜厚cは、5nm〜10nmである。ナノワイヤ構造体100は、更に、アルカンチオール等のチオール基とこれに結合した一本鎖のDNA塩基配列3、4を含む。チオール化DNA3、4は、チオール基により、ナノワイヤ1の両端部に設けられた金層2に、夫々接続している。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 関西大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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