半導体リソグラフィ用光源

開放特許情報番号
L2012000722
開放特許情報登録日
2012/3/16
最新更新日
2013/2/19

基本情報

出願番号 特願2008-201897
出願日 2008/8/5
出願人 学校法人 関西大学
公開番号 特開2010-040329
公開日 2010/2/18
登録番号 特許第5162365号
特許権者 学校法人 関西大学
発明の名称 半導体リソグラフィ用光源
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体リソグラフィ用光源
目的 半導体ウェハに対する回路パターンの転写を阻害するデブリを発生させることなく、半導体ウェハに高集積化した回路を形成するのに最適な短波長の光を発生させることのできる半導体リソグラフィ用光源を提供する。
効果 半導体リソグラフィ用光源では、半導体ウェハに対する回路パターンの転写を阻害するデブリを発生させることなく、半導体ウェハに高集積化した回路を形成するのに最適な短波長の光を発生させることができる。
技術概要
図1は、半導体リソグラフィ用光源を含む半導体リソグラフィ装置の概略構成図を示す。図2は、半導体リソグラフィ用光源におけるプラズマの発生メカニズムを説明するための説明図を示す。光源は、図1に示す如く、半導体ウェハWに回路パターンを転写させる半導体リソグラフィ装置Uの一構成として組み込まれている。すなわち、半導体リソグラフィ装置Uは、光源1と、半導体ウェハWを配置するステージSと、ステージS上の半導体ウェハWに転写させる回路パターンが形成されたマスクと、光源1からの光をマスクに導く光学系Mとを備える。半導体リソグラフィ装置Uは、前記ステージS、マスク及び光学系Mが密閉構造のケーシングCに内装され、光源1がケーシングCに外面に連設される。光源1は、負圧の状態で希ガス又は希ガスを含んだ混合ガスが充填される内部空間100を画定した外周壁部101を有する光源本体10と、内部空間100内に所定の軸線(外周壁部101の中心線CL)周りの回転磁場を発生させるように構成された磁場発生手段20とを備える。図3は、他の例の半導体リソグラフィ用光源を含む半導体リソグラフィ装置の概略構成図を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 関西大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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