グラフェントランジスタ

開放特許情報番号
L2012000625
開放特許情報登録日
2012/3/9
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2009-271742
出願日 2009/11/30
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2011-114299
公開日 2011/6/9
登録番号 特許第5697069号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 グラフェントランジスタ
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 グラフェントランジスタ
目的 この発明は、従来には得られなかった大きなゲート容量を持つグラフェントランジスタとその製造方法を提供する。
効果 この発明によれば、自然酸化膜と違い、膜質・膜厚が制御可能であるため、再現性の良く絶縁膜を形成することができる利点を有する。また、素子作製の際、光学顕微鏡でグラフェンを観察することができる等の特徴を持ったトランジスタを提供することができた。
技術概要
炭素原子が蜂の巣状に並んだ原子層1層のシート構造を有するグラフェンは、高い移動度を有することからトランジスタのチャネル材料候補として注目されている。従来のトランジスタはドーパントが高濃度ドープされた低抵抗Siを基板とし、絶縁膜としてSiO↓2を使用している。このグラフェン/SiO↓2/低抵抗Si基板構造の目的は、グラフェン内の2次元電子濃度(n)または2次元正孔濃度(p)がSiO↓2の静電容量と印加電圧Vと素電荷の逆数1/qの積に等しいため、ゲート電圧に比例してnまたはpを可変できることにある。しかし、従来の絶縁膜の誘電率が小さいため十分な特性を得ることが困難であった。この発明のグラフェントランジスタは、グラフェンと低抵抗基板との間に絶縁膜を配したグラフェントランジスタであって、前記絶縁膜全体が均質な組成で構成され、その比誘電率が4以上であること、絶縁膜の基幹元素と基板の基幹元素が異なること、また絶縁膜は光学顕微鏡でグラフェンを観察できる可視光領域での干渉コントラストを有する厚さにしたことを特徴とするものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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