酸化アルミニウム薄膜を用いたスイッチング素子とこれを有する電子回路

開放特許情報番号
L2012000613
開放特許情報登録日
2012/3/9
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2009-201892
出願日 2009/9/1
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2011-054733
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5476566号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化アルミニウム薄膜を用いたスイッチング素子とこれを有する電子回路
技術分野 電気・電子、金属材料、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、加圧・減圧
適用製品 スイッチング素子、電子回路
目的 この発明は、回路内への組み込みが容易なスイッチング素子とそれを組み込んだ電子回路を提供する。
効果 この発明のスパッタリング法によると、現在の工場生産ラインに容易に追加することが可能である。また、そのスイッチング性能も、公知のものと比較して遜色のないものが得られた。さらに、従来のスパッタリング法による保障された回路性能に、このスイッチング素子の性能を組み込むことができる。
技術概要
酸化アルミニウム薄膜は電界誘起のスイッチング素子として利用できることが知られている。スイッチング効果のある酸化アルミニウム薄膜の製造法として、1.陽極酸化による方法、2.酒石酸で酸化する方法、3.ALD法、4.プラズマを用いて酸化する方法、が知られている。しかし、これらの方法はいずれも製造工程が煩雑になる欠点を有していた。この発明の酸化アルミニウムの形成方法は、この課題を解決するために、スイッチング素子は、酸化アルミニウム薄膜がスパッタリング法により形成されることを特徴とし、電子回路は、スイッチング素子とともに設置された別の素子並びに回路のいずれもがスパッタリング法により形成されてなることを特徴とするものである。スパッタリング法による薄膜の形成は、従来の半導体製造工程などにおいて多く使用されているので、他の製造法のような複雑な工程を必要としない利点を有している。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT