グラフェンフィルム製造方法

開放特許情報番号
L2012000612
開放特許情報登録日
2012/3/9
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2009-199126
出願日 2009/8/31
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2011-051801
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5569769号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 グラフェンフィルム製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 グラフェンフィルム、グラフェンフィルム製造方法、グラフェンフィルムを有する基板
目的 グラフェンフィルムを作成する方法が提案されているが、従来の方法は、一様な厚さを持つ大きなグラフェン領域を得ることが困難であったり、使用されるSiC単結晶材料が非常に高価である、品質・層構成やサイズのコントロールに難点があるなどの問題があった。そこで、これ等の問題点を解消し、多様な分野への潜在的な適用可能性を現実のものとするような、サイズが大きく一様でまた転写が容易なグラフェンフィルムを提供する。
効果 この技術によれば、大きなサイズでかつ一様なグラフェンフィルムを製造することができる。また、このようにして製造されたグラフェンフィルムを簡単に他の基板などに転写することができる。
技術概要
このグラフェンフィルム製造方法は、次の(a)から(d)のステップを含む;(a) HOPG(Highly Ordered (Oriented) Pyrolytic Graphite、高配向熱分解黒鉛)基板を準備する、(b)このHOPG基板上に触媒層を設ける、(c)この触媒層が設けられたHOPG基板を所定時間加熱する、(d)このHOPG基板を冷却する。触媒層の材料はNi、Pt、Co、Fe、Cr、Cu、Mn、Rh、Ti、Pd、Ru、Ir、Reから選択される。このようにして、@からBを設けた、グラフェンフィルムを有する基板が提供される;@HOPG基板、AこのHOPG基板表面上の介在層、Bこの介在層上のグラフェンフィルム。図は、グラフェンフィルムを作成し、またこのようにして作成されたグラフェンフィルムを転写する方法を図式的に説明する図である(100 HOPG基板、101 触媒層、102 グラフェンフィルム)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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