電子素子基板

開放特許情報番号
L2012000598
開放特許情報登録日
2012/3/9
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2009-163988
出願日 2009/7/10
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2011-016704
公開日 2011/1/27
登録番号 特許第5517034号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 電子素子基板
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、表面処理
適用製品 電子素子基板、金属基板との界面が酸素原子により終端されたアルミナ極薄膜、金属基板表面に酸化膜を有する電子素子基板
目的 薄い酸化膜のうち、金属−トンネルバリア層−金属(MIM構造)、金属−トンネルバリア層−センサー層(MIS構造)で、スピンを持つ材料を含む場合の磁気デバイスなどへ応用できる、アルミナ膜とその作製法について、界面が酸化膜を構成する金属原子で終端されており、基板が銅やニッケルの場合、価電子バンドオフセットが大きいという問題があった。界面を酸素原子終端にすると、この価電子バンドオフセットが下がると予想されている。そこで、それを具体的に達成する手段を提供する。
効果 金属基板との界面が酸素原子により終端されたアルミナ極薄膜の作製に成功した。界面終端原子の種類を決定付けるルールを見出し、金属基板と界面が酸素原子により終端された酸化膜の作製法として用いることを可能にした結果として得られた新たな電子素子基板である。
技術概要
この電子素子基板は、金属基板表面に酸化膜を有する電子素子基板であって、この酸化膜の金属基板との界面が酸素原子により終端されている。酸化物の界面が酸素原子により終端されるということは、酸化物の極性面が金属基板上に成長することを意味している。酸化物の酸素終端面は、酸素が最密充填した構造をとる場合が多く、その場合表面は二次元的に6回対称性をもつ。この電子素子基板の製法では、酸化される金属元素の基板への蒸着中の雰囲気に酸素を存在させることが重要である。図は、金属基板とアルミナ膜界面の界面終端の模式図であり、界面が酸化膜を構成する金属原子で終端されている場合(a)、基板が銅やニッケルの場合、価電子バンドオフセットが大きいという問題があり、金属基板との界面が酸素原子により終端された(b)のアルミナ極薄膜とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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