窒素プラズマによるSiCナノ粒子の製造法

開放特許情報番号
L2012000587
開放特許情報登録日
2012/3/9
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2010-224452
出願日 2010/10/4
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2011-042571
公開日 2011/3/3
登録番号 特許第5252460号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 窒素プラズマによるSiCナノ粒子の製造法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 SiCナノ粒子、窒素プラズマによるSiCナノ粒子の製造法
目的 従来技術により作製されるSiCナノ粒子の生成効率、純度、平均粒径は必ずしも満足できるものではない。そこで、SiCナノ粒子を高効率で製造することのできる窒素プラズマによるSiCナノ粒子の製造法を提供する。
効果 この窒素プラズマによるSiCナノ粒子の製造法によれば、塊状SiCまたはSiとCの混合粉末成形体に窒素プラズマを照射することにより、一種の強制蒸発、昇華現象が誘起され、直接SiCナノ粒子が高効率で製造される。得られるSiCナノ粒子は、純度が高く、平均粒径が小さい。
技術概要
窒素雰囲気中でアークプラズマを発生させ、このアークプラズマを、粉末Siと粉末Cの混合粉末成形体に照射してSiCのナノ粒子を生成させる、窒素プラズマによるSiCナノ粒子の製造法が提供される。混合粉末成形体は更に結合剤を含むことができる。粉末Siと粉末Cの混合比率がモル比で1:1となるように混合粉末成形体を構成することが好ましい。Arガス中でArプラズマを発生させ、混合粉末成形体を加熱した後、アークプラズマ発生室内を真空にしてから窒素ガスを導入する。図は、塊状SiCおよびC/Si=1/1の混合粉末成形体に窒素プラズマを照射して得られたナノ粒子のX線回折結果である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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