| 出願番号 |
特願2010-122311 |
| 出願日 |
2010/5/28 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2011-249630 |
| 公開日 |
2011/12/8 |
| 登録番号 |
特許第5713283号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
遷移金属をドープした希土類ホウ炭化物系熱電半導体、その製造方法及び熱電発電素子 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、生活・文化 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造、環境・リサイクル対策 |
| 適用製品 |
熱電発電素子 |
| 目的 |
この発明は、希土類ホウ炭化物からなり、高ゼーベック係数などの高性能を発揮するｎ型熱電半導体を提供する。 |
| 効果 |
この発明の半導体は、混合粉末を溶融して得られるので、密度１００％となり、高密度のｎ型熱電半導体を提供することができ、これを用いた熱電発電素子は、高い密度ゆえに、耐熱性に優れ、さらに発電効率の向上をも見込めるものである。 |
技術概要
 |
世界で最も省エネルギー化か進んだ日本でも、一次供給エネルギーの約３／４が熱エネルギーとして廃棄されているのが現状である。そのような社会情勢で、熱電発電素子は熱エネルギーを回収して有用な電気エネルギーに直接変換できる唯一の固体素子として注目されている。しかし、従来最も期待されていた、多ホウ化物はｐ型のみであったため、ｐ型材料とｎ型材料で形成する熱電変換素子を構成することはできなかった。この発明は、希土類ホウケイ化物またはボロンカーバイドからなるｐ型熱電半導体と、ｎ型熱電半導体を用いた、熱電発電素子を提供するものである。特にホウ素系ｎ型半導体としては、組成が次に示す三方晶系の希土類ホウ炭化物を用いるもので、ＲＥＢ↓２↓６↓＋↓ｘＣ↓４↓＋↓ｙＮ↓１↓＋↓ｚ・ｔ（ＴＭ）（ただし、−１０＜Ｘ＜１０、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１，ＲＥ＝Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、またはＬｕ、０．５ａｔ％＜ｔ＜ａｔ６％、ＴＭ＝Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、またはＣｒ）の素材が使用される。これらの混合物は、不活性ガス中で加熱処理し、粉砕処理した後、加圧固形化することによってホウ素系ｎ型半導体が形成される。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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