四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法及び四角形のシリコンウェ−ハ

開放特許情報番号
L2012000565
開放特許情報登録日
2012/3/9
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2010-066177
出願日 2010/3/23
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2011-195414
公開日 2011/10/6
登録番号 特許第5464429号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法
技術分野 電気・電子、無機材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 四角形のシリコンウェ−ハ、四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法
目的 円形シリコンウエハでは太陽電池パネルの空間を有効に埋められないため、素子としての効率が高くても、パネルの効率は多結晶より低くなってしまうこともある。そこで、成長速度が大きく、高周波コイルだけに頼らないで四角形状の温度分布が容易に制御でき、結晶欠陥の形成が抑制され、抵抗率の面内分布が均一化された四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法、及び四角形のシリコンウェ−ハを提供する。
効果 この単結晶シリコンの育成方法では、融液の対流や界面形状を制御し、融液内に比較的容易に四角い温度分布を作ることができ、面内の抵抗率分布を改善することができる。また、融液を容易に拘束することができ、四角形の断面を有する単結晶シリコンの高速成長ができる。さらに、ファセット成長機構だけに頼らない四角形の単結晶を製造できる。この単結晶シリコンの育成方法により四角形の断面を有する単結晶シリコンが得られるので、これをスライスして、そのまま太陽電池パネルに用いる四角形の単結晶シリコンウェ−ハとすることができる。
技術概要
この四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法は、育成炉内に設けた高周波コイルによりシリコン原料棒を加熱溶融して単結晶シリコンを育成するフローティングゾーン法(FZ法)による四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法において、高周波コイルの下面側に四角形の型枠を設け、四角形の型枠をシリコン原料棒が溶融した融液に接触させてなる。また、FZ法により育成された四角形の断面を有する単結晶シリコンをスライスした四角形の単結晶シリコンウェ−ハであって、抵抗率が四回対称の面内分布を有する四角形の単結晶シリコンウェ−ハが提供される。この四角形の単結晶シリコンウェ−ハは太陽電池パネルに有用である。図は、型枠を使用したFZ装置の概略断面図である(1:シリコン原料棒、2:単結晶シリコン、3:増径角錐部、4:種絞り部、5:種結晶、6:下軸、7:上軸、8:高周波コイル、9:四角形の型枠、10:種結晶保持部、11:原料棒保持部、12:ガス供給路、13:ガス排出路)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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