有機半導体デバイスのコンタクト構造、有機半導体デバイス及びその作製方法

開放特許情報番号
L2012000555
開放特許情報登録日
2012/3/9
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2010-034179
出願日 2010/2/19
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2011-171524
公開日 2011/9/1
登録番号 特許第5626959号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 有機半導体デバイスのコンタクト構造、有機半導体デバイス及びその作製方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 有機半導体デバイス、有機半導体トランジスタ
目的 この発明は、有機半導体トランジスタなどの有機デバイスを簡易な工程により有機半導体とのコンタクト抵抗を低減させたデバイスを提供する。
効果 この発明によれば、有機半導体デバイスの製造プロセスを過度に複雑化することなく、安価な、しかも多様な材料を使用してコンタクト抵抗を大幅に低下させることができる。これにより、有機FETのコンタクト抵抗を非常に簡易な方法・構造で低減することができ、低コストのプロセスによって電気特性の優れた有機デバイスを提供できるようになる。
技術概要
有機電界効果トランジスタ(FET)は、シリコン等の無機半導体材料を用いた同様な電界効果型トランジスタと比較して非常に大きいコンタクト抵抗を有することが知られており、デバイス動作の妨げとなっている。このため、従来から有機半導体層との間に金属酸化物の層を介在させることによって発生する電荷キャリヤを用いる方法が提案されているが、まだ十分なものは得られていなかった。この発明は、有機半導体FETにおいて、ソースあるいはドレイン電極4から相手側の電極へ流れる電流は電極4のうちの相手側電極に近い端に集中する。この箇所に金属酸化物層5を設ける。有機半導体層3と金属酸化物層5との間の電荷移動により、電極4の電流が集中する端近傍まではキャリアが豊富でトラップの少ない領域が形成されるので、コンタクト抵抗が大幅に低下する。この素子は簡易な構造であるため、製造時のコスト低減にも寄与できる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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