半導体装置

開放特許情報番号
L2012000523
開放特許情報登録日
2012/3/2
最新更新日
2012/3/2

基本情報

出願番号 特願2009-016547
出願日 2009/1/28
出願人 学校法人明治大学
公開番号 特開2010-176270
公開日 2010/8/12
登録番号 特許第4524407号
特許権者 学校法人明治大学
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置
目的 低い電源電圧で駆動でき、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成するとともに、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくい半導体装置を提供する。
効果 半導体装置及びその駆動方法によれば、比例係数を正確に設計可能で、絶対温度に比例するとともに、電源電圧の変動に不感な電圧を集積回路上で発生することが可能になる。
技術概要
第1のMOSFETの基板端子と第2のMOSFETの基板端子とを接続し、第1のMOSFETの基板端子と第2のMOSFETの基板端子との端子間を第1の基板端子とし、第1のゲート端子と第2のMOSFETのドレイン端子とが接続されておらず、第1のMOSFETと第2のMOSFETとは同一構造のMOSFETであり、第1のゲート端子には、第1のMOSFET及び第2のMOSFETのゲート電極でのチャネル領域がフラットバンド状態から反転層が形成されない弱反転動作領域を満たす範囲の電圧が印加され、第1の基板端子には、第1のMOSFETのソース側pn接合がわずかに順方向バイアスされる動作領域から逆方向バイアスされる動作領域となる範囲の電圧を印加され、供給電圧には、第1及び第2のMOSFETがNMOSFETの場合は、基準電位に対して、正の電圧を印加され、供給電圧には、第1及び第2のMOSFETがPMOSFETの場合は、基準電位に対して、負の電圧を印加される半導体装置である。図AはNMOSFETを用いた回路構成図である。図Bは、PMOSFETを用いた回路構成図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 微細な半導体素子を拡散電流でモデル化される領域で動作させているので、最低動作電源電圧は0.2V程度(出力電圧+0.1V程度)ときわめて低い電源電圧での動作が可能であり、消費電力がきわめて小さいとともに、設計面積が極めて小さい。また、形状比が異なる複数の半導体素子で得られる拡散電流の比により、温度に比例した出力電圧を決定しているために、製造プロセスにおけるパラメータの変動に依存しない特性を実現する。
改善効果2 太陽電池等の微弱な電源で駆動できるオンチップに集積可能なPTAT回路を実現できるという効果を奏するとともに、汎用集積回路に搭載してオンチップで温度検出を行う応用回路およびバイアス電圧回路に幅広く適応できる。

登録者情報

登録者名称 明治大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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