窒化アルミニウム製造方法

開放特許情報番号
L2012000475
開放特許情報登録日
2012/2/24
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2010-152397
出願日 2010/7/2
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2012-012266
公開日 2012/1/19
登録番号 特許第5491300号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 窒化アルミニウム製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高純度窒化アルミニウム材料、窒化アルミニウム製造方法、窒化物半導体
目的 窒化物半導体を発光層とする深紫外領域のLED開発が注目されており、殺菌・医療・高密度光記録・固体照明などの分野への応用が期待されている。ところで、従来の窒化アルミニウム材料の製造方法について、昇華法では純度が低くなるという課題があり、溶液成長法ではコストが高くなり、さらに、窒素の過飽和度により成長速度が制限され、ハイドライド気相成長法では成長層/基板界面で貫通転位が発生するという課題がある。そこで、新規の薄膜成長技術を確立し、高純度な窒化アルミニウム材料の製造方法を提供する。
効果 この製造方法により、低コストで、高純度な窒化アルミニウム材料の製造が可能となり、製造された窒化アルミニウム材料は電気電子材料である自立基板の他にもその高い熱伝導率および電気絶縁性を活かしたヒートシンク等の広汎な用途に用いることができる。
技術概要
この窒化アルミニウム製造方法は、窒化アルミニウムの結晶を液相成長により生成する窒化アルミニウム製造方法であり、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウム及びアルミニウムから成る原料混合物を、図(a)に示す窒化リチウム及びアルミニウムに関する擬二元系状態図における斜線領域内の組成及び温度で、少なくとも2時間保持する工程を含む。また、温度を1300℃以下とすることで、リチウムの昇華を抑えることができ、安定的に窒化アルミニウムを製造でき、また、温度を1000℃以下とし、且つ原料混合物におけるアルミニウムの原料モル組成比を0.9以上かつ1未満の範囲とすることが好ましい。温度を1000℃以下とすることでアルミニウムを低コストで製造できる。図は、窒化リチウムおよびアルミニウムに関する擬二元系状態図を示すが、温度の範囲は、一般に600℃以上であるが、各物質の融点から、850℃以上であることが好ましく、よって、850℃以上1000℃以下とすることが好ましく、例えば、950℃で実施することができる。このような条件で得られる窒化アルミニウムは、アルミニウムの酸化物をはじめとする不純物の含有率が著しく低くなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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