層状化合物及び超伝導体並びにそれらの製造方法

開放特許情報番号
L2012000473
開放特許情報登録日
2012/2/24
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2010-520839
出願日 2009/7/9
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2010/007929
公開日 2010/1/21
登録番号 特許第5440879号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 層状化合物及び超伝導体並びにそれらの製造方法。
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 遷移金属元素を骨格構造に有する層状化合物とその製造方法、非酸化物系化合物超伝導体、遷移金属元素を骨格構造に有する層状化合物からなる超伝導体の製造方法
目的 超伝導技術の応用を飛躍的に広げるために、室温超伝導体の発見が強く望まれている。層状ペロブスカイト型銅酸化物において、転移温度が100Kを超える高温超電導体が見出されているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。そこで、室温超伝導体を開発するための一つの方策として、ペロブスカイト型銅酸化物に代えて、遷移金属元素を骨格構造に有する新しい層状化合物群を見出し、電子濃度、格子定数などの物質パラメータを、転移温度の高温化を目指して最適化し、高温超電導体を実現し得る化合物組成を提供する。
効果 公知の高温超伝導体と異なり、特定の遷移金属を含むプニクタイドからなる新しい化合物群のTc=20K超の第2種超伝導体を提供する。この化合物超伝導体は、原料に酸化物を含まないので、焼成雰囲気の湿度に対する許容度が大きく、また、原料を混合してこの化合物を合成する際に焼成温度を低くでき、さらに、高圧合成法によらないでもこの化合物を合成できるので安価に製造することができる。
技術概要
化学式AF(TM)Pn(式中、A;2族元素の1種、好ましくはCa又はSr、F;フッ素イオン、TM;Fe,Ru,Os,Ni,Pd,Ptから選ばれる遷移金属元素、好ましくはNi又はFe、Pn;15族元素、好ましくはP,As又はSb。)で示され、ZrCuSiAs型(空間群P4/nmm)の結晶構造を有し、3価の陽イオン又は2価の陰イオンをドープすることにより超伝導体となる層状化合物、この化合物に3価の陽イオンとしてSc,Y,La,Nd,又はGdイオンをドープした超伝導体或いは陰イオンとしてO,S, 又はSeイオンをドープした超伝導体が提供される。層状化合物の製法は、原料として、A元素の粉末、TM元素の粉末、Pn元素の粉末、及びこれらの元素のフッ素化合物粉末を混合し、混合粉末を不活性雰囲気又は真空中、900〜1200℃で焼結する。更に、層状化合物の原料に、3価の陽イオンの元素粉末又は3価の陽イオンの元素のフッ素化合物粉末、或いは、A元素の酸化物粉末、硫化物粉末、セレン化物粉末、イオウ粉末、又はセレン粉末を追加混合し、焼結する超伝導体の製法が提供される。図は、超伝導体を提供する層状化合物の結晶構造のモデル図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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