プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法

開放特許情報番号
L2012000466
開放特許情報登録日
2012/2/24
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2010-526556
出願日 2009/8/27
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2010/023925
公開日 2010/3/4
登録番号 特許第5100840号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 フォトニック結晶、プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、フォトニック結晶製造方法
目的 近年、新しい光デバイスとして、フォトニック結晶が注目されており、斜めエッチングを用いてフォトニック結晶その他のデバイスを高精度に作製する技術がもとめられている。そこで、高アスペクト比で均一性の高い斜めエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法及びそのプラズマエッチング方法を用いたフォトニック結晶製造方法を提供する。
効果 このプラズマエッチング方法により、高アスペクト比で均一性の高い斜めエッチングを行うことができるようになり、このプラズマエッチング方法を用いたフォトニック結晶製造方法により、周期の乱れが少なく、より理論上得られることが期待される特性に近い高特性を有するフォトニック結晶を得ることができる。
技術概要
このプラズマエッチング方法は、基体の表面に、基体表面の法線に対して傾斜した方向に貫通したイオン導入孔を有する電界制御体を配置し、電界制御体を配置した基体の表面にプラズマを生成し、プラズマ中のイオンを基体側に引き寄せるようプラズマと基体の間に電位差を形成することで基体を高アスペクト比でエッチングする。更に、基体を高アスペクト比でエッチングするプラズマエッチング装置が提供される。また、誘電体から成る基体の表面の一部である孔形成領域に、所定のパターンで多数の孔を設けたマスクを配置し、基体表面の法線に対して傾斜した方向に貫通したイオン導入孔を有する電界制御体を、基体側のイオン導入孔の開口を孔形成領域の位置に合わせて配置し、電界制御体を配置した基体の表面にプラズマを生成し、プラズマ中のイオンを基体側に引き寄せるようにプラズマと基体の間に電位差を形成することで基体を所定のパターンで高アスペクト比のエッチングを行うフォトニック結晶製造方法が提供される。図は、プラズマエッチング方法を用い基体Sに斜めエッチングを行う際の電界制御体11の形状及び配置の一例である(基体S、ラズマP、電界制御体11、イオン導入孔12、マスク14)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 A HREF='http://jstore.jst.go.jp/nationalPatentDetail.html?pat_id=28079' target=other>当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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