出願番号 |
特願2011-249869 |
出願日 |
2011/11/15 |
出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
特開2013-105088 |
公開日 |
2013/5/30 |
登録番号 |
特許第5769151号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
二光子吸収材料及びその利用 |
技術分野 |
情報・通信 |
機能 |
検査・検出、材料・素材の製造 |
適用製品 |
硬化材料、二光子吸収材料 |
目的 |
波長390〜420nm領域において強い二光子吸収特性を示す二光子吸収材料を提供し、同波長領域での三次元微細光造形や三次元メモリ等において、小型でエネルギー消費の少ないレーザー光源の利用を可能にする。 |
効果 |
波長390〜420nmの範囲の光において、大きな二光子吸収断面積を有しているので、照射する光の強度を強くする必要がないので、より出力の小さな小型のレーザー発生装置を用いることが可能になる。また、強度の強い光照射に起因する材料の劣化乃至破壊を抑制することができ、材料中の他成分の特性に対する悪影響も低下させることができる。
同波長域で強い二光子吸収を生じさせることができ、ブルーレイディスク規格が適用されている技術分野で培われた技術資産を直接利用することが可能であり、その産業応用上の利点は極めて大きい。 |
技術概要
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一般式(1)(概略イメージ1)で示されるベンゼン誘導体には、波長390〜420nm領域において強い二光子吸収特性を備えており、この波長領域のレーザー光源を利用する二光子吸収材料として有用である。 |
イメージ図 |
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実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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