被膜形成方法

開放特許情報番号
L2012000373
開放特許情報登録日
2012/2/17
最新更新日
2015/11/23

基本情報

出願番号 特願2011-248759
出願日 2011/11/14
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-104102
公開日 2013/5/30
登録番号 特許第5807909号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 被膜形成方法
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 p−型半導体をなす酸化銅被膜を形成するための被膜形成方法
目的 ターゲットであるCu↓2Oから、単一結晶相からなる有用なCu↓2O被膜(堆積膜)又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu↓2O被膜の形成に際して、そのCu↓2O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
効果 所定の投入電力と希ガスを含む全ガス圧力の下で、酸素含有雰囲気調整を行いつつスパッタ法を実施すれば、ターゲットとして用いたCu↓2Oからのスパッタ粒子がCu↓2O,Cu↓4O↓3,CuOに順次、変化し得ることを利用して、酸素含有雰囲気調整を行うことにより、的確に単一結晶相からなる有用なCu↓2O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できる。Cu↓2O被膜の形成に際して、酸素含有雰囲気調整により広い範囲で抵抗率(キャリア密度)を調整でき(抵抗率制御(キャリア密度制御))、Cu↓2O被膜の膜質特性の変更を簡単に行うことができる(膜質制御)。
技術概要
ターゲットとして、Cu↓2Oを用い、Arをプラズマ化するための投入電力とArを含む全ガス圧力とを、前記Cu↓2Oからのスパッタ粒子をO↓2流量比が高まるに伴ってCu↓2O,Cu↓4O↓3,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu↓2O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu↓2O被膜の形成に際しては、O↓2流量比調整により広い範囲で抵抗率(キャリア密度)を調整して、Cu↓2O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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