透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法

開放特許情報番号
L2012000271
開放特許情報登録日
2012/2/3
最新更新日
2014/2/25

基本情報

出願番号 特願2010-126581
出願日 2010/6/2
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2011-252198
公開日 2011/12/15
登録番号 特許第5429752号
特許権者 国立大学法人島根大学
発明の名称 透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 透明導電薄膜用ターゲット材、透明な酸化チタン系薄膜製造用ターゲット材、透明電極製造用ターゲット材
目的 近年、プラズマディスプレイパネルやELパネル等に適用するため、透明電極の研究開発が進んでおり、ITOやZnOの研究が進められ、ITOを用いたものは製品化されている。一方、ITOの原料であるInは希少金属であり、また、Inの健康への影響も指摘されており、ITO代替の素材が求められている。酸化チタンターゲットにホウ素を添加する提案があるが、工業的に量産しにくく、また、均質性に問題があった。。そこで、ITOと同等以上の導電性を有する透明な酸化チタン系薄膜を工業的に製造するのに適したターゲット材を提供する。
効果 この技術によれば、ITOと同等の導電性を有する透明な酸化チタン系薄膜を工業的に製造するのに適したターゲット材を提供することができ、従って、品質の良い酸化チタン系透明導電薄膜を提供することが可能となる。
技術概要
ITOに代替可能な酸化チタン系透明導電薄膜を工業的に形成可能なターゲット材の製造方法として、酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用するスパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法が提案される。酸化チタンに対するホウ素の添加量は10mol%以下とすることが好ましく、また、焼結をパルス通電焼結によりおこなうことが好ましい。この製法により、ルチル型結晶のターゲット材であって、単位格子の体積が62.5×10↑−↑3nm↑3〜63.0×10↑−↑3nm↑3である透明導電薄膜用ターゲット材が得られる。図は、得られた焼結体の電気抵抗率と単位格子の体積との関係を示したグラフである。単位格子の体積が増加すると、すなわち、Bのドープ量に応じて、電気抵抗率は減少する。金属ホウ素Bやホウ化チタンを用いたターゲット材の電気抵抗率は、ホウ素の添加量が1mol%以上であると10↑−↑3[Ω・cm]程度となり、成膜した透明薄膜も同程度の導電性となる。従って、ITOと同等以上の性質を持つ薄膜形成可能なターゲット材であることがわかる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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