スピン注入源およびその製造方法

開放特許情報番号
L2012000076
開放特許情報登録日
2012/1/13
最新更新日
2015/6/24

基本情報

出願番号 特願2010-197047
出願日 2010/9/2
出願人 独立行政法人理化学研究所
公開番号 特開2012-054470
公開日 2012/3/15
登録番号 特許第5598975号
特許権者 国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称 スピン注入源およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 スピン注入源およびその製造方法
目的 スピン注入源におけるスピン注入効率を向上させる。
効果 スピン注入効率を従来よりも向上させることができる。
技術概要
スピン注入源は、非磁性導電体、MgO膜、強磁性体から構成され、強磁性体から非磁性導電体にスピンを注入する。MgO膜が、300℃〜500℃で熱処理されたものである。熱処理時間は30〜60分間であることが好ましい。熱処理により酸素欠損等が増加し、MgO膜の電気抵抗が低下する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 実施許諾の可否・条件に関する最新の情報は、(独)理化学研究所連携推進部 知財創出・活用課までお問合せ下さい。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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