導電性膜形成用組成物および導電性膜の形成方法

開放特許情報番号
L2012000051
開放特許情報登録日
2012/1/13
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2010-098200
出願日 2010/4/21
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2011-228178
公開日 2011/11/10
登録番号 特許第5327977号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 導電性膜形成用組成物および導電性膜の形成方法
技術分野 化学・薬品、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 導電性膜形成用組成物および導電性膜
目的 ストロンチウム−ルテニウム酸化物系導電性膜を形成することができ、長期安定性およびプロセス性に優れる導電性膜形成用組成物を提供する。
効果 長期安定性およびプロセス性に優れる導電性膜形成用組成物、および該導電性膜形成用組成物を用いて行う簡易であり高温加熱を要しない導電性膜の形成方法を提供できる。
技術概要
 
導電性膜形成用組成物は、ストロンチウムのカルボン酸塩とルテニウムのカルボン酸塩と溶媒とを含有する組成物であって、溶媒がケトンおよびカルボン酸から選ぶ1種以上を含有する。この導電性膜形成用組成物は、これらのほか、任意的にチタンのカルボン酸塩などをさらに含有できる。ストロンチウムのカルボン酸塩およびルテニウムのカルボン酸塩ならびに任意的に使用されるチタンのカルボン酸塩は、夫々、炭素数1〜8のアルキル基を有するカルボン酸の塩であることがより好ましく、例えば酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、2−エチルヘキサン酸塩などである。塩の入手又は合成のしやすさからプロピオン酸塩または2−エチルヘキサン酸塩が好ましく、溶解性の観点から2−エチルヘキサン酸塩が特に好ましい。ストロンチウム、ルテニウムの各カルボン酸塩ならびに任意的に使用されるチタンのカルボン酸塩の使用割合は、形成される導電性膜における所望の金属原子比に応じて適宜に設定する。例えばSrRuO↓3膜を形成したい場合にはこの組成物におけるSr:Ru:Tiの原子比を1:1:0とすればよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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