薄膜トランジスタとその製造方法

開放特許情報番号
L2012000049
開放特許情報登録日
2012/1/13
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2010-081588
出願日 2010/3/31
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2011-216574
公開日 2011/10/27
登録番号 特許第5168599号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 薄膜トランジスタの製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 薄膜トランジスタ
目的 a−IGZO{アモルファスInGaO↓3(ZnO)↓m}薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑えるようにする。
効果 チャネル層としてa−IGZO薄膜を用いるTFTにおいて、製膜後に酸化性雰囲気中で熱処理する場合の問題であった閾値電圧が大きく負にシフトしてしまう問題とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑えるという問題を、従来の製造プロセスを変更することなく熱処理雰囲気の制御と加熱温度の低温化により同時に解決できる。
技術概要
 
基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、このチャネル層としてIn−Ga−Zn−O系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、オゾンを含む乾燥酸素ガス雰囲気による熱処理後のa−IGZO薄膜の閾値電圧が0±5V以内、電界効果移動度が5cm↑2/Vs以上である薄膜トランジスタである。また、基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、このチャネル層としてIn−Ga−Zn−O系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法は、半導体膜を製膜した後、乾燥酸素中にオゾンを1.0容積%以下0.01容積%以上含む乾燥酸素ガス雰囲気中で該半導体膜を100〜200℃の温度範囲内で1〜120分間、熱処理する。この製造方法によって、特に、アクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイ及び有機ELディスプレイのバックプレーンとして、実用可能なTFT特性を実現できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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