導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器

開放特許情報番号
L2011006478
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2009-077252
出願日 2009/3/26
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2010-231972
公開日 2010/10/14
登録番号 特許第5518355号
特許権者 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
発明の名称 導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 液晶表示パネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイ、透明導電材料、耐薬品性および耐久性を兼ね備えた二酸化チタン
目的 Taをドープさせた酸化スズ系の透明導電体の薄膜を単結晶の基板上で成長させて形成することにより、低抵抗化を実現させた透明導電体が発見され、この発見を機に、酸化スズ系の透明導電体が再び脚光を浴びているものの、酸化スズ系の薄膜を成長させるための単結晶基板は非常に高価であるため、製品として実現させる上で大きな問題となっていることに鑑み、低コストで低抵抗化を実現可能な導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器の提供。
効果 シード層上の酸化スズ系透明導電体の結晶は、結晶配向が制御された状態で形成されることになる。このため、酸化スズ系透明導電体を低抵抗化させることが可能である。加えて、シード層上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させることとしたので、単結晶基板を用いる必要が無く、コスト低減を図ることができる。これにより、低コストで低抵抗化を実現可能な導電体基板を得ることができる。
技術概要
この技術では、導電体基板は、基板と、基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。基板として非晶質基板を用いることにより、低コスト化が可能となる。基板としてガラス基板を用いることにより、低コスト化が可能となる。加えて、ガラス基板上に導電体を形成して用いる製品に対して幅広く適用させることができる。シード層がアナターゼTiO↓2を含むこととしたので、酸化スズ系透明導電体の結晶を(200)軸方向に優先させて成長させることができる。(200)軸方向に成長させた結晶を用いる導電体は導電性に優れていることが知られている。シード層を用いることにより導電性に優れた結晶を得ることができる。アナターゼTiO↓2にNb及びTaの少なくとも一方がドープされていることにより、(200)軸方向への結晶の優先成長を促進させることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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