エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2011006463
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2008-053562
出願日 2008/3/4
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2008-270749
公開日 2008/11/6
登録番号 特許第5490368号
特許権者 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
発明の名称 エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 基板上に窒化物半導体の薄膜が設けられた半導体基板、装置コスト、結晶性、化学的に安定した化合物、界面反応
目的 DCスパッタリング法の場合には、薄膜の結晶性が悪くなってしまい、良好な特性を得にくいという問題があることに鑑み、装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子の提供。
効果 ターゲットを間欠的にスパッタすることとしたので、対象物上に金属原子を間欠的に供給することができる。対象物上に供給された金属原子は、次の金属原子が供給されるまでの間、時間的余裕を持って確実に安定な格子位置へマイグレーションすることとなる。金属原子は、安定な格子位置に移動した後、雰囲気中で活性化した窒素ラジカルと反応して金属窒化物の結晶となる。窒素ラジカルは寿命が長いため、金属原子の供給が間欠的であっても、ゆっくりと着実に金属原子と反応し続けることになる。
技術概要
この技術では、エピタキシャル薄膜の形成方法は、金属窒化物からなる薄膜の形成方法であって、金属又は金属窒化物からなるターゲットを間欠的にスパッタし、窒素雰囲気中に設けられた対象物上にスパッタされた金属原子を堆積させる。金属又は金属窒化物からなるターゲットを間欠的にスパッタし、対象物上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を対象物上に成長させる。これにより、結晶性の極めて良好なエピタキシャル薄膜を形成する。加えて、スパッタリング装置によって行うため、装置コストを低く抑えることができる。パルススパッタ法によってターゲットをスパッタすると、ターゲットを間欠的にスパッタする工程を容易に行うことができる。パルススパッタ法によってターゲットをスパッタすることにより、短時間で大量の金属を対象物上に供給することができる。対象物上の表面が金属リッチの状態となるため、金属原子のマイグレーションを活発にすることができる。これにより、結晶性の一層良好なエピタキシャル薄膜を形成することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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