導電体の製造方法

開放特許情報番号
L2011006461
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2012/1/6

基本情報

出願番号 特願2007-059077
出願日 2007/3/8
出願人 財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2008-084824
公開日 2008/4/10
発明の名称 導電体の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス素子、自発光タイプ、小型携帯端末、フィールドエミッションディスプレイ
目的 アナターゼ型結晶構造を有するM:TiO↓2の単結晶薄膜は、製造が難しく、生産性が良くないため、実現性が低く、また、透明屈折率薄膜層は、成膜時に水素を含有させるため、透明性が不充分となりやすいことに鑑み、導電性に優れるとともに、透明性が良好な酸化チタン系導電体を生産性良く製造できる方法の提供。
効果 この導電体は適用範囲が広く、例えば、フラットパネルディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどの透明電極へ適用が考えられる。また、反射防止膜に用いられる電磁波の遮蔽、静電気により埃がつかないようにするフィルム、帯電防止膜、熱線反射ガラス、紫外線反射ガラスへ適用も考えられる。SiO↓2からなる層とNbをドープしたTiO↓2層とからなる多層膜を作製すれば反射防止膜としても適用できる。
技術概要
この技術では、導電体の製造方法は、Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層を、基体表面上に形成する工程と、前駆体層を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層を形成する工程を有する。アニールとは、前駆体層を所定の温度(アニール温度)まで上昇させた後、温度を下げる操作をいう。基板上に前駆体層が形成されている場合は、アニール温度として基板温度を適用することができる。アニール温度は、前駆体層の結晶化温度よりも高い温度が好ましい。例えばドーパントが添加されていないTiO↓2の結晶化温度は約400℃であり、ドーパントが添加されると結晶化温度は低下する傾向がある。したがって、金属酸化物層の抵抗を良好に低下させるうえで好ましいアニール温度は、ドーパントの種類にもよるが、300℃以上が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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