半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子

開放特許情報番号
L2011006456
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2007-078188
出願日 2007/3/26
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2008-243873
公開日 2008/10/9
登録番号 特許第5296995号
特許権者 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
発明の名称 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 高純度のシリコンウェハ、フレキシブル性、基板を曲げて使用すること、反応性
目的 シリコン、サファイア、SiCなどは硬くて脆く、基板を曲げて使用することができないため、用途が限定されてしまうという問題があり、これらの材料は高価でもあり、単結晶で大面積化しようとするとコストが高くなってしまうことに鑑み、幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子の提供。
効果 半導体素子の基板が金属を主成分とするため、加熱や圧延によって基板のグレインを高速に成長させることができる。このため、大面積の単結晶基板を安価に得ることができる。しかも、金属にはフレキシブル性があるため、例えば基板を曲げて使用することが可能である。これにより、スペースに応じて曲げて使用するなどの幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子を得ることができる。
技術概要
この技術では、薄膜の形成方法は、金属を主成分とする基板と、基板上に設けられ、岩塩型の結晶構造を有する金属窒化物からなるバッファ層と、バッファ層上に設けられた半導体層とを具備する。岩塩型の結晶構造を有する金属窒化物からなるバッファ層が基板上に設けられており、バッファ層上に半導体層が設けられた構成としたので、バッファ層上に半導体を成長させる際には成長温度を高くしても、バッファ層と半導体との間では反応はほとんど生じない。このため、半導体を高温下で成長させることができ、結晶性に優れた半導体層を得ることができる。また、バッファ層を介して半導体を配置することによって、金属基板から半導体層に金属原子が拡散するのを防ぐので、半導体層の品質を維持できるという利点もある。金属窒化物が4族窒化物であると、バッファ層上に成長させる半導体の結晶構造と整合性が高くなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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