半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子

開放特許情報番号
L2011006455
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2007-078187
出願日 2007/3/26
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2008-243872
公開日 2008/10/9
登録番号 特許第5058642号
特許権者 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
発明の名称 半導体基板の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 発光素子、電子素子、光の取り出し効率
目的 シリコン基板上にハーフニウムナイトライドを形成する場合、ハーフニウムナイトライドの結晶性が悪くなってしまい、半導体基板の電気的特性が低下してしまうという問題があることに鑑み、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子の提供。
効果 シリコン基板上にZrNからなるバッファ層を設けた場合に、HfNからなるバッファ層を設けた場合に比べて、バッファ層の結晶性(ZrNの結晶性)が極めて高くなる。また、ZrNからなるバッファ層を設けた場合に、光反射率が65%を超える。このため、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板を得ることができる。
技術概要
この技術では、半導体基板は、シリコン基板と、シリコン基板上に設けられたバッファ層と、バッファ層上に設けられた半導体層とを具備し、バッファ層がZrNからなる。近年、金属窒化物半導体として、13族金属の窒化物半導体を用いた半導体基板が注目されている。半導体層が13族金属の窒化物半導体からなる場合において、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板を得ることができる。13族金属窒化物の中でも、GaNを用いた半導体基板が特に注目されている。半導体層がGaNからなる場合において、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板を得ることができる。比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板を具備することにより、光学的及び電気的特性の高い半導体素子を得ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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