透明伝導体、透明電極、太陽電池、発光素子及びディスプレイパネル

開放特許情報番号
L2011006452
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2006-531685
出願日 2005/8/10
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 WO2006/016608
公開日 2006/2/16
登録番号 特許第5132151号
特許権者 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
発明の名称 透明伝導体、透明電極、太陽電池、発光素子及びディスプレイパネル
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス素子、小型携端末
目的 耐プラズマ性が高く廉価な材料として酸化亜鉛系材料は、酸やアルカリに弱く、二酸化炭素雰囲気中においても徐々に浸食されてしまうため、液晶パネルへの適用のみならず、特に太陽電池への適用が困難になることに鑑み、透明かつ導電性のある透明伝導体につき、安定して供給可能であって、かつ耐薬品性等に優れた素材で構成した透明伝導体の提供。
効果 アナターゼ型TiO↓2のTiサイトを他の金属原子など(Nb, Ta, Mo, As, Sb, Wなど)で置換した結果得られるM:TiO↓2を作製することにより、透明度を維持しつつ、電気伝導度を著しく向上させることが出来る。この物質の結晶の形態は、単結晶はもちろん、多結晶体であってもよい。特に、この金属酸化物において、Nbの置換量を0.1%〜20%(Ti原子数比)とした場合に、抵抗率を10↑(−4)Ωcm台まで抑えることが可能となる。
技術概要
この技術は、金属酸化物からなる透明伝導体において、金属酸化物は、アナターゼ型結晶構造を有するM:TiO↓2である。例えば表示パネルや有機EL、太陽電池の電極等に適用される透明金属(透明伝導体)として適用されるものであり、多結晶又は単結晶としての基板上に形成された金属酸化物層を有する。この基板上に積層形成される金属酸化物層は、Nb:TiO↓2で構成される。このNb:TiO↓2は、アナターゼ(TiO↓2)のTiサイトをNbで置換したものであり、この置換するNbの代替として、例えばTa、Mo、As、Sb又はWを使用してもよい。また、他の元素でもよい。金属酸化物層は、基板表面上にエピタキシャル成長されて形成される。この金属酸化物層の厚さは、40〜50nmであるが、かかる場合に限定されるものではない。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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