| 出願番号 |
特願2004-039896 |
| 出願日 |
2004/2/17 |
| 出願人 |
公益財団法人神奈川科学技術アカデミー |
| 公開番号 |
特開2005-232487 |
| 公開日 |
2005/9/2 |
| 登録番号 |
特許第4623977号 |
| 特許権者 |
地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| 技術分野 |
金属材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
電子エミッター、磁気記録媒体、ナノデバイス、細孔が規則的に配列したポーラスアルミナ、微細な細孔周期を有する理想配列ポーラスアルミナ |
| 目的 |
高純度Ａｌを用いる方法では、インプリント法や２段階陽極酸化法の適用による高規則性ポーラスアルミナの作製は困難であり、また、合金Ａｌを用いた場合においても、高規則性ポーラスアルミナを形成することは困難であると認識されていたものの、合金Ａｌを用いた場合においても、細孔配列の規則性に優れた陽極酸化ポーラスアルミナを製造できることを見出したことに基づき、平滑性に優れ、かつ細孔配列の規則性を保持した陽極酸化ポーラスアルミナの提供。 |
| 効果 |
基板表面にＡｌ及びＡｌと異なる特定の金属を含む薄膜を形成することにより平滑性に優れたＡｌ合金膜の形成が可能であり，これを規則的な突起配列を有するモールドを押し付けることにより突起に対応した窪み配列を形成した後シュウ酸浴中で陽極酸化することで平滑な陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができる。とくに、Ｍｇを含むＡｌ合金膜を用いることにより、より望ましい陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができる。 |
技術概要
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この技術では、陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法は、基板上にＭｇを０．５〜１０重量％含むＡｌ合金膜を形成し、Ａｌ合金膜の表面に、規則的な突起配列を有するモールドを押し付けることにより突起に対応した窪み配列を形成し、しかる後にＡｌ合金膜をシュウ酸浴中で陽極酸化することで、形成された窪みを孔発生の開始点として、孔配列の制御を行う方法からなる。とくにスパッタ法あるいは真空蒸着法により薄膜状Ａｌ合金を形成することで、非平衡状態を含むＡｌ合金膜を均質に広い面積で基板表面に形成することが可能であることから、基板上において広範囲で陽極酸化ポーラスアルミナを形成することができる。Ｍｇを含むＡｌ合金膜を形成する場合には、Ａｌ合金中のＭｇ濃度を１０重量％以下とすることが好ましく、とくに、０．５〜１０重量％の範囲からＭｇ濃度を設定することができる。このようなＭｇ濃度とすることにより、細孔が自己組織的に規則配列した陽極酸化ポーラスアルミナを再現性良く得ることができる。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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