陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法

開放特許情報番号
L2011006439
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2013/7/26

基本情報

出願番号 特願2004-033154
出願日 2004/2/10
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2005-226087
公開日 2005/8/25
登録番号 特許第4445766号
特許権者 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
発明の名称 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法
技術分野 金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 膜面に垂直な均一な細孔径を有する直行細孔の配列構造、機能デバイス、出発構造材料、磁気記録媒体、量子素子、光学素子、分離用フィルター
目的 陽極酸化ポーラスアルミナの細孔は、アルミニウム表面に形成された細孔径程度のサイズの凹部で優先的に成長を開始することから、凸部から細孔を開始させるのは困難である点から,微細な細孔周期を有するポーラスアルミナの作製は容易ではなかったことに鑑み、自己組織化的に規則配列する陽極酸化ポーラスアルミナの作製のように、微細化の下限が細孔配列の規則化条件により決定されることのない、より微細な領域で細孔が規則配列した陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法の提供。
効果 第2段階目の陽極酸化を行う際に全ての細孔をアルミニウム表面の窪みで誘導するため、容易に元の細孔周期の1/√3倍の微細規則細孔配列を得ることが可能となる。このように、簡便に精度良く規則的な微細細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得ることが可能となる。
技術概要
この技術は、陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法は、第1段階目の陽極酸化により細孔部を有するポーラスアルミナを作製し、このポーラスアルミナの地金アルミニウムを除去して得られたポーラスアルミナ底面のバリア層の表面における、細孔部に対応する凸部を優先的にエッチングした後、その構造を反転させた鋳型を作製し、この鋳型の構造を他のアルミニウムに転写して他のアルミニウムに第2段階目の陽極酸化を施し、元のポーラスアルミナに対して1/√3倍の細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミナを製造する。元の陽極酸化皮膜のバリヤ層のエッチングでは、イオンビームあるいは原子ビームを用いたミリング法によりポーラスアルミナ底面のバリア層の表面における細孔部に対応する凸部を優先的にエッチングすることができる。ミリングの後にウエットエッチングを加え、セル3重点の窪みの深さを増大させることにより細孔配列の精度を更に向上させることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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