陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2011006425
開放特許情報登録日
2012/1/6
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2010-101917
出願日 2010/4/27
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2010-163696
公開日 2010/7/29
登録番号 特許第5336417号
特許権者 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
発明の名称 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法
技術分野 金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 電子エミッター、磁気記録媒体、ナノデバイス、細孔が規則的に配列したポーラスアルミナ
目的 高純度Alを用いる方法では、インプリント法や2段階陽極酸化法の適用による高規則性ポーラスアルミナの作製は困難であり、また、合金Alを用いた場合においても、高規則性ポーラスアルミナを形成することは困難であると認識されていたものの、合金Alを用いた場合においても、細孔配列の規則性に優れた陽極酸化ポーラスアルミナを製造できることを見出したことに鑑み、平滑性に優れ、かつ細孔配列の規則性を保持した陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法の提供。
効果 基板に形成されたAl合金膜を用いて平滑性及び細孔配列の規則性に優れた陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができる。とくに、Mgを含むAl合金膜を用いることにより、より望ましい陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができる。
技術概要
この技術は、陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法は、陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法であって、(a)基板上にMgを0.5〜10重量%含むAl合金膜を形成する工程と、(b)基板に形成されたAl合金膜を陽極酸化し酸化膜を形成する工程と、(c)(b)工程により形成された酸化膜を基板から除去する工程と、(d)酸化膜が除去された基板のAl合金膜を、(b)工程と同一の化成電圧で陽極酸化する工程、を含む方法からなる。この方法においては、スパッタ法あるいは真空蒸着法により基板上にAl合金膜を形成することができる。とくにスパッタ法あるいは真空蒸着法により薄膜状Al合金を形成することで、非平衡状態を含むAl合金膜を均質に広い面積で基板表面に形成することが可能であることから、基板上において広範囲で陽極酸化ポーラスアルミナを形成することができる。Al合金が含むAlと異なる金属としては、例えば、Mgが用いられる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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