ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011006189
開放特許情報登録日
2011/12/16
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願2011-199630
出願日 2011/9/13
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-084870
公開日 2012/4/26
登録番号 特許第5750727号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ナノ結晶半導体材料及びその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、鋳造・鍛造
適用製品 シリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法
目的 平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。
効果 金属とシリコンの合金を熱処理することで、相分離を利用し、シングルナノサイズの直径(<10nm)でサイズの揃ったシリコンナノ結晶と金属シリサイドの化合物ナノ結晶を凝集した半導体材料を形成することができる。
シリコンナノ結晶の間にシリサイドナノ結晶を形成することで、同種のナノ結晶凝集を抑制し、シングルナノサイズのナノ結晶を高密度に形成することができる。平滑で高い強度を持つ薄膜材料としてシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を提供できることから、デバイスプロセス上扱いが容易になる。
技術概要
金属(M)とシリコン(Si)の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径10nm以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。
薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタのチャネル材料)、メモリ素子(例.フラッシュメモリの電荷蓄積領域)、太陽電池、熱電変換素子、発光材料(例.シリコン系発光材料)等の半導体デバイス技術分野に適用可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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