導電体パターンの形成方法

開放特許情報番号
L2011006152
開放特許情報登録日
2011/12/9
最新更新日
2015/10/20

基本情報

出願番号 特願2011-164291
出願日 2011/7/27
出願人 国立大学法人鳥取大学
公開番号 特開2013-030547
公開日 2013/2/7
登録番号 特許第5792546号
特許権者 国立大学法人鳥取大学
発明の名称 導電体パターンの形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 導電体パターンの形成方法
目的 フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成しうる導電体パターンの形成方法を提供する。
効果 フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成することができる。
また、金属酸化物膜を透明部材で構成した場合には、光学特性が均一になる利点がある。
技術概要
基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第1の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、金属酸化物膜の表面側に、第1の比抵抗よりも高い第2の比抵抗を有する高抵抗領域を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第2の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、高抵抗領域の表面側に、第2の比抵抗よりも低い第3の比抵抗を有する導電体パターンを形成する。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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