磁気メモリ装置及びその書き込み方法

開放特許情報番号
L2011006033
開放特許情報登録日
2011/12/9
最新更新日
2011/12/9

基本情報

出願番号 特願2006-059953
出願日 2006/3/6
出願人 国立大学法人九州大学
公開番号 特開2007-242092
公開日 2007/9/20
登録番号 特許第4825975号
特許権者 国立大学法人九州大学
発明の名称 磁気メモリ装置及びその書き込み方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 磁気記憶メモリ
目的  磁気記憶セルを用いた磁気メモリ装置の書き込み方法の改良。
効果 磁気記憶セルを用いた磁気メモリ装置の書き込み方法に関し、実用レベルの高速性(1ナノ秒以下)と低消費電力化を可能とする。
技術概要
 従来の技術では、次世代の不揮発性メモリの一つである磁気記憶メモリについては、データ保持性、読み書き速度、書き換え回数については他の方式に比べ優れた特性を有するものの、高密度化すればするほど書き込み時の消費電力が増してしまうという課題があった。  本発明では、磁性共鳴現象を利用することにより、従来の方式に比べて、より高速(1ナノ秒以下)で確実に書き込みができ、しかも低消費電力化を可能とする方式を考案した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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