磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス

開放特許情報番号
L2011006032
開放特許情報登録日
2011/12/9
最新更新日
2011/12/9

基本情報

出願番号 特願2007-535391
出願日 2006/7/25
出願人 国立大学法人九州大学
公開番号 WO2007/032149
公開日 2007/3/22
登録番号 特許第4189502号
特許権者 国立大学法人九州大学
発明の名称 磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電磁波受信デバイス、マイクロ波領域フィルタ
目的 複数の磁性層が非磁性層を間に介して積層されてなる磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイスの高性能化・高機能化。
効果 これまでの高周波デバイスと比べて非常に低消費電力の高周波デバイスを提供できる。
技術概要
 従来の技術では、強磁性体の多層構造を用いる高周波デバイスでは、共鳴周波数をチューニングまたは設定変更する場合に、外部から磁界を印加し続ける必要があり、消費電力が多くなるという問題点があった。  本発明では、磁性多層膜ドットを構成する複数の磁性層の磁化方向を制御することにより共鳴周波数を変更できることを利用して、これまでの高周波デバイスと比べて非常に低消費電力のリコンフィギャラブルな高周波デバイスを提供できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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