アモルファスシリコン薄膜の成膜方法

開放特許情報番号
L2011006009
開放特許情報登録日
2011/12/9
最新更新日
2011/12/9

基本情報

出願番号 特願2001-105872
出願日 2001/4/4
出願人 九州大学長
公開番号 特開2002-299266
公開日 2002/10/11
登録番号 特許第3507889号
特許権者 九州大学長
発明の名称 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法
技術分野 電気・電子、金属材料、生活・文化
機能 表面処理、材料・素材の製造
適用製品 太陽電池
目的 シラン放電プラズマ中のクラスタ量を激減させて優れた膜質を有するアモルファスシリコン薄膜の成膜方法を提供する。
効果 シラン放電プラズマ中のクラスタ量を激減させることにより優れた膜質を有し、太陽電池、液晶表示装置の薄膜トランジスタ等に有用なアモルファスシリコン薄膜の成膜方法を提供することができる。
技術概要
本アモルファスシリコン薄膜の成膜方法は、真空容器とこの真空容器内に配置され、被成膜部材を保持する第1電極と、真空容器内に第1電極と対向して配置され、その第1電極との対抗面に複数のガス排気部を有する第2電極、真空容器の側壁に形成されたガス排気穴、第2電極に接続された高周波電源、原料ガス供給手段とを具備した成膜装置を用いる。第1電極に保持された被成膜部材にアモルファスシリコン薄膜を成膜するにあたり、第1電極を240〜260℃の高温に加熱し、第2電極をこの第1電極より低い温度に維持することを特徴とする。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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