| 出願番号 |
特願2010-531888 |
| 出願日 |
2009/9/30 |
| 出願人 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 公開番号 |
WO2010/038788 |
| 公開日 |
2010/4/8 |
| 登録番号 |
特許第5717063号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 発明の名称 |
電流制御素子及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体素子、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層、絶縁層、トランジスタ、ダイオード |
| 目的 |
希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物の研究を行う中で、この化合物の通電特性を利用することにより、小さい駆動電圧で電流制御が可能な電流制御素子の提供。 |
| 効果 |
電場を作用させることにより電流量を制御する電流制御体と、電流制御体に所定の電場を作用させる電極とを有する電流制御素子の電流制御体を、希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で形成することにより、０．７Ｖよりも低い電圧で駆動する電流制御素子を提供でき、省電力で低発熱の電流制御素子とすることができる。 |
技術概要
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本技術の電流制御素子では、電場を作用させることにより電流量を制御する電流制御体と、電流制御体に所定の電場を作用させる電極とを有する電流制御素子であって、電流制御体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成する。さらに、この電流制御素子では以下の点にも特徴を有する。すなわち、（１）化合物が、Ｒを、Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｈｆから選ばれる少なくとも１種類の元素、Ｍａ及びＭｂを、Ｔｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃｄから重複を許して選ばれる少なくとも１種類の元素、ｎを１以上の整数、ｍを０以上の整数、δを０以上０．２以下の実数として、（ＲＭｂＯ↓（３−δ））↓ｎ（ＭａＯ）↓ｍとして表される化合物、またはその化合物のＲの一部を正二価以下の元素により置換した化合物である。（２）電流制御体を、ドレイン電極とソース電極を設けたｐ型電導体のドレイン電極とソース電極との間に接合させる。（３）電流制御体に、電流を入力する入力側電極と、電流を出力させる出力側電極とを設ける。（４）電流制御体に作用させる電場の向きを化合部のｃ軸方向とする。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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