電流制御素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011005853
開放特許情報登録日
2011/11/25
最新更新日
2015/5/20

基本情報

出願番号 特願2010-531888
出願日 2009/9/30
出願人 国立大学法人 岡山大学
公開番号 WO2010/038788
公開日 2010/4/8
登録番号 特許第5717063号
特許権者 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 電流制御素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子、p型半導体層、n型半導体層、絶縁層、トランジスタ、ダイオード
目的 希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物の研究を行う中で、この化合物の通電特性を利用することにより、小さい駆動電圧で電流制御が可能な電流制御素子の提供。
効果 電場を作用させることにより電流量を制御する電流制御体と、電流制御体に所定の電場を作用させる電極とを有する電流制御素子の電流制御体を、希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で形成することにより、0.7Vよりも低い電圧で駆動する電流制御素子を提供でき、省電力で低発熱の電流制御素子とすることができる。
技術概要
本技術の電流制御素子では、電場を作用させることにより電流量を制御する電流制御体と、電流制御体に所定の電場を作用させる電極とを有する電流制御素子であって、電流制御体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成する。さらに、この電流制御素子では以下の点にも特徴を有する。すなわち、(1)化合物が、Rを、In,Sc,Y,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Ti,Ca,Sr,Ce,Sn,Hfから選ばれる少なくとも1種類の元素、Ma及びMbを、Ti,Mn,Fe,Co,Cu,Ga,Zn,Al,Mg,Cdから重複を許して選ばれる少なくとも1種類の元素、nを1以上の整数、mを0以上の整数、δを0以上0.2以下の実数として、(RMbO↓(3−δ))↓n(MaO)↓mとして表される化合物、またはその化合物のRの一部を正二価以下の元素により置換した化合物である。(2)電流制御体を、ドレイン電極とソース電極を設けたp型電導体のドレイン電極とソース電極との間に接合させる。(3)電流制御体に、電流を入力する入力側電極と、電流を出力させる出力側電極とを設ける。(4)電流制御体に作用させる電場の向きを化合部のc軸方向とする。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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