| 出願番号 |
特願2010-531887 |
| 出願日 |
2009/9/30 |
| 出願人 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 公開番号 |
WO2010/038787 |
| 公開日 |
2010/4/8 |
| 登録番号 |
特許第5360838号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 発明の名称 |
光電変換素子及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
太陽電池素子、受光素子、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層 |
| 目的 |
ｐｎ接合を利用した太陽電池においてより効果的に光エネルギから電力を発生させる光電変換素子の提供。 |
| 効果 |
ｐｎ接合を有する光電変換素子において、受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体をｐｎ接合部分に設けることにより、受光によって生成された電子または正孔の移動性を向上させて、広い帯域の光によって起電力を生じる光電変換素子を提供可能とすることができる。 |
技術概要
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本技術の光電変換素子では、ｐｎ接合を有する光電変換素子において、受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体をｐｎ接合部分に設ける。さらに、この光電変換素子では、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、（１）電気伝導度変化体を、Ｒを、Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｈｆから選ばれる少なくとも１種類の元素、Ｍａ及びＭｂを、Ｔｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃｄから重複を許して選ばれる少なくとも１種類の元素、ｎを１以上の整数、ｍを０以上の整数、δを０以上０．２以下の実数として、（ＲＭｂＯ↓（３−δ））↓ｎ（ＭａＯ）↓ｍとして表される層状三角格子構造を有する化合物、またはその化合物のＲの一部を正二価以下の元素により置換した化合物とする。（２）電気伝導度変化体をｎ型電導体としてｐｎ接合を形成する。（３）ｐｎ接合を形成するｐ型電導体を有機物半導体で構成する。また、この光電変換素子の製造方法では、ｐｎ接合を有する光電変換素子の製造方法において、ｐｎ接合部分に受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体を設ける工程を有する。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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