光電変換素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011005852
開放特許情報登録日
2011/11/25
最新更新日
2013/11/29

基本情報

出願番号 特願2010-531887
出願日 2009/9/30
出願人 国立大学法人 岡山大学
公開番号 WO2010/038787
公開日 2010/4/8
登録番号 特許第5360838号
特許権者 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 光電変換素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 太陽電池素子、受光素子、p型半導体層、n型半導体層
目的 pn接合を利用した太陽電池においてより効果的に光エネルギから電力を発生させる光電変換素子の提供。
効果 pn接合を有する光電変換素子において、受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体をpn接合部分に設けることにより、受光によって生成された電子または正孔の移動性を向上させて、広い帯域の光によって起電力を生じる光電変換素子を提供可能とすることができる。
技術概要
本技術の光電変換素子では、pn接合を有する光電変換素子において、受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体をpn接合部分に設ける。さらに、この光電変換素子では、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、(1)電気伝導度変化体を、Rを、In,Sc,Y,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Ti,Ca,Sr,Ce,Sn,Hfから選ばれる少なくとも1種類の元素、Ma及びMbを、Ti,Mn,Fe,Co,Cu,Ga,Zn,Al,Mg,Cdから重複を許して選ばれる少なくとも1種類の元素、nを1以上の整数、mを0以上の整数、δを0以上0.2以下の実数として、(RMbO↓(3−δ))↓n(MaO)↓mとして表される層状三角格子構造を有する化合物、またはその化合物のRの一部を正二価以下の元素により置換した化合物とする。(2)電気伝導度変化体をn型電導体としてpn接合を形成する。(3)pn接合を形成するp型電導体を有機物半導体で構成する。また、この光電変換素子の製造方法では、pn接合を有する光電変換素子の製造方法において、pn接合部分に受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体を設ける工程を有する。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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