メモリ素子及びその製造方法、並びにメモリ素子を備えた記憶装置

開放特許情報番号
L2011005851
開放特許情報登録日
2011/11/25
最新更新日
2014/4/28

基本情報

出願番号 特願2010-531886
出願日 2009/9/30
出願人 国立大学法人岡山大学
公開番号 WO2010/038786
公開日 2010/4/8
登録番号 特許第5467241号
特許権者 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 メモリ素子及びその製造方法、並びにメモリ素子を備えた記憶装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 電子計算機、DRAM
目的 希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物の研究を行う中で、この化合物の誘電特性を利用することにより消費電力の小さいメモリ素子の提供。
効果 抵抗体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成することにより、抵抗体に所定の電圧を印加することにより電気抵抗を変化させて、データを記憶させることができる。しかも、この抵抗体を用いて形成したメモリ素子では、リフレッシュ処理が不要となることにより消費電力の低減を図ることができ、さらに、抵抗体が微細化することができることによって、小型化による消費電力の低減を図ることもできる。
技術概要
本技術のメモリ素子では、電圧を印加することにより電気抵抗が変化する抵抗体と、この抵抗体に所定の電圧を印加するための電圧印加用の電極とを有するメモリ素子であって、抵抗体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成する。さらに、本技術のメモリ素子では以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、(1)化合物が、Rを、In,Sc,Y,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Ti,Ca,Sr,Ce,Sn,Hfから選ばれる少なくとも1種類の元素、Ma及びMbを、Ti,Mn,Fe,Co,Cu,Ga,Zn,Al,Mg,Cdから重複を許して選ばれる少なくとも1種類の元素、nを1以上の整数、mを0以上の整数、δを0以上0.2以下の実数として、(RMbO↓(3−δ))↓n(MaO)↓mとして表される化合物、またはその化合物のRの一部を正二価以下の元素により置換した化合物である。(2)電圧印加用の電極は2つ1組として抵抗体を挟んで対向させて設けるとともに、電圧印加用の電極を抵抗体の電気抵抗を検出するための電圧検出用の電極と兼用している。(3)電圧印加用の電極は抵抗体を構成している化合物のc軸方向に離隔させて設ける。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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