| 出願番号 |
特願2010-531885 |
| 出願日 |
2009/9/30 |
| 出願人 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 公開番号 |
WO2010/038785 |
| 公開日 |
2010/4/8 |
| 登録番号 |
特許第5360837号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 発明の名称 |
光センサ及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ｐ型半導体層、ｎ型半導体層 |
| 目的 |
未だに光センサにおける長波長側の感度は十分ではなく、さらなる感度の向上が可能な光センサの提供。 |
| 効果 |
受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体と、電気伝導度変化体の受光面に設けた第１電極及び第２電極と、第１電極と第２電極との間に生じた電流を検出する電流検出手段とを有する光センサにおいて、電気伝導度変化体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成することにより、半導体のｐｎ接合を利用する光センサよりも長波長の光に対する応答性を向上させた光センサを提供できる。 |
技術概要
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本技術の光センサでは、受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体と、電気伝導度変化体の受光面に設けた第１電極及び第２電極と、第１電極と第２電極との間に生じた電流を検出する電流検出手段とを有する光センサであって、電気伝導度変化体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成することとした。さらに、この光センサでは、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、（１）化合物が、Ｒを、Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｈｆから選ばれる少なくとも１種類の元素、Ｍａ及びＭｂを、Ｔｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃｄから重複を許して選ばれる少なくとも１種類の元素、ｎを１以上の整数、ｍを０以上の整数、δを０以上０．２以下の実数として、（ＲＭｂＯ↓（３−δ））↓ｎ（ＭａＯ）↓ｍとして表される層状三角格子構造を有する化合物、またはその化合物のＲの一部を正二価以下の元素により置換した化合物であること。（２）第１電極と第２電極をそれぞれ櫛歯状に設けること。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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