光センサ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011005850
開放特許情報登録日
2011/11/25
最新更新日
2013/11/29

基本情報

出願番号 特願2010-531885
出願日 2009/9/30
出願人 国立大学法人 岡山大学
公開番号 WO2010/038785
公開日 2010/4/8
登録番号 特許第5360837号
特許権者 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 光センサ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 p型半導体層、n型半導体層
目的 未だに光センサにおける長波長側の感度は十分ではなく、さらなる感度の向上が可能な光センサの提供。
効果 受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体と、電気伝導度変化体の受光面に設けた第1電極及び第2電極と、第1電極と第2電極との間に生じた電流を検出する電流検出手段とを有する光センサにおいて、電気伝導度変化体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成することにより、半導体のpn接合を利用する光センサよりも長波長の光に対する応答性を向上させた光センサを提供できる。
技術概要
本技術の光センサでは、受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体と、電気伝導度変化体の受光面に設けた第1電極及び第2電極と、第1電極と第2電極との間に生じた電流を検出する電流検出手段とを有する光センサであって、電気伝導度変化体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成することとした。さらに、この光センサでは、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、(1)化合物が、Rを、In,Sc,Y,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Ti,Ca,Sr,Ce,Sn,Hfから選ばれる少なくとも1種類の元素、Ma及びMbを、Ti,Mn,Fe,Co,Cu,Ga,Zn,Al,Mg,Cdから重複を許して選ばれる少なくとも1種類の元素、nを1以上の整数、mを0以上の整数、δを0以上0.2以下の実数として、(RMbO↓(3−δ))↓n(MaO)↓mとして表される層状三角格子構造を有する化合物、またはその化合物のRの一部を正二価以下の元素により置換した化合物であること。(2)第1電極と第2電極をそれぞれ櫛歯状に設けること。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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